据报道，三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器(eFlash)的嵌入式磁阻随机访问内存(eMRAM)，容量为1Gb，测试芯片的良率已达90%。
MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍，此外，其制作工艺要求低，良品率高，可以很好的控制成本。在寿命方面，由于MRAM特殊的存储方式，产品的寿命耐久性也远超传统RAM。
报道称，三星也正在改善1Gb MRAM寿命问题，除了支持10年的存储年限之外，在105℃也可完成1亿次读写，在85℃下则可增加至100亿次读写，在正常工作环境中，则有望达到1兆次读写。目前，以MRAM为代表的新型存储已经发展到了关键阶段，能否成为取代NAND闪存的下一代存储介质除了材料和工艺的不断完善之外，构建完善的器件技术生态系统也是十分关键的。相信在市场需求的引导以及各大厂商的推动下，存储产品一定朝着性能更高，容量更大以及成本更优的方向发展。
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